一網激光技術有限公司提供美國NEOS系列Q開關（聲光Q頭I-
英國古奇系列Q開關（聲光Q頭）:GOOCH&HOUSEGO系列Q開關（聲光Q頭） :I-QS027-3C4G-U5-ST1，法國AA系列Q開關（聲光Q頭）:AA.QS27-A5-S1064-WSC
國產系列Q開關（聲光Q頭）
半導體激光器內部結構及原理
半導體激光器的工作物質有砷化鉀（gaas），砷化銦（inas），銻化銦（insn），鋁化鎵（gaalas）等，輸出波長大都在可見光的長波到近紅外之間，醫用最短的有650nm（常用作瞄準光），常見的波長有810nm,980nm等，不同種類的半導體激光器輸出功率差別較大：雙異質結條形激光器連續輸出功率為數百毫瓦，脈沖輸出可達幾十瓦；激光列陣器件連續輸出功率可達百瓦級，脈沖輸出達千瓦級；可調諧激光器連續輸出功率為零點幾毫瓦，脈沖峰值功率可達幾十瓦。
較常用的810nm半導體激光器功率為0.5~25~60w，治療模式為0.1~9.9s單脈沖、重復脈沖及連續輸出，采用nm接觸式及非接觸式光纖和探頭傳輸，汽化效果較1064nm快三倍，同時兼具良好的止血效果，術中術后出血少，術中光束對神經和組織沒有電刺激，產生煙霧少，病人損失少，出血少，疼痛輕，愈合快，并發癥少，住院時間短，另外配以多種內徑的光纖可方便與任何一種內窺鏡匹配，在開放手術中也可靈活應用。
半導體激光器電光轉換率高（30%），沒有多余的熱量產生，從而避免了傳統燈泵浦激光和氣體激光器所需的龐大水冷系統，因此體積精巧，重量輕。同時，它也沒有傳統激光的閃光燈、晶體棒等高壓、高熱易損元件，因而壽命較長，一般半導體芯片的壽命可達100萬小時，具有操作方便，機動靈活，耗電少，效率高等優點。
