5.3.5 User flash 區(qū)擦除操作
User flash 區(qū)支持以下擦除方式：
l 頁(yè)擦除（512 字節(jié)）
l 塊擦除（16KB）
l 批量擦除（128KB）
Flash 存儲(chǔ)器在執(zhí)行擦除操作時(shí)，不能同時(shí)進(jìn)行讀取操作，需要等待存儲(chǔ)器完成 擦除操作后，讀取操作才能正常進(jìn)行，擦除完成后的 Flash 數(shù)據(jù)為全 1。
5.3.5.1 User flash 區(qū)頁(yè)擦除步驟
對(duì) User flash 區(qū)進(jìn)行頁(yè)擦除操作（512 字節(jié)），可遵循以下步驟：
1） 檢查 Flash 狀態(tài)寄存器（FLASH_SR）中的 BSY 標(biāo)志，以確認(rèn)當(dāng)前沒有正在執(zhí)行的 Flash 操作；
2） 檢查 FLASH_SR 寄存器，確認(rèn)錯(cuò)誤標(biāo)志均已清除；
3） 解鎖 Flash 控制寄存器（FLASH_CR），使 LOCK 位清 0；（詳見：Flash 控 制寄存器解鎖）
4） 配置 FLASH_CR寄存器中的 ER_MODE[1:0]位域?yàn)?01，進(jìn)入頁(yè)擦除模式；
5） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 PNB[7:0]位域，選擇待擦除區(qū)域的頁(yè)號(hào)；
6） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ERASE 位置 1，啟動(dòng) Flash 擦除，同時(shí) BSY 標(biāo)志將自動(dòng)置 1；
7） 查詢并等待 BSY 標(biāo)志清 0，表明擦除操作已完成，此時(shí) ERASE 位也將自 動(dòng)清 0；
8） 如果要對(duì)多個(gè)頁(yè)執(zhí)行擦除操作，可重復(fù)執(zhí)行步驟 5 到 7；
9） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ER_MODE[1:0]位域?yàn)?00，退出擦除模式；
10） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 LOCK 位置 1，恢復(fù) FLASH_CR 寄存器的寫保護(hù)鎖定狀態(tài)。
5.3.5.2 User flash 區(qū)塊擦除步驟
對(duì) User flash 區(qū)進(jìn)行塊擦除操作（16KB），可遵循以下步驟：
1） 檢查 Flash 狀態(tài)寄存器（FLASH_SR）中的 BSY 標(biāo)志，以確認(rèn)當(dāng)前沒有正在執(zhí)行的 Flash 操作；
2） 檢查 FLASH_SR 寄存器，確認(rèn)錯(cuò)誤標(biāo)志均已清除；
3） 解鎖 Flash 控制寄存器（FLASH_CR），使 LOCK 位清 0；（詳見：Flash 控制寄存器解鎖）；
4） 配置 FLASH_CR寄存器中的 ER_MODE[1:0]位域?yàn)?10，進(jìn)入塊擦除模式；
5） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 PNB[2:0]位域，選擇待擦除區(qū)域的塊號(hào)；
6） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ERASE 位置 1，啟動(dòng) Flash 擦除，同時(shí) BSY 標(biāo)志將自動(dòng)置 1；7） 查詢并等待 BSY 標(biāo)志清 0，表明擦除操作已完成，此時(shí) ERASE 位也將自動(dòng)清 0；
8） 如果要對(duì)多個(gè)塊執(zhí)行擦除，可重復(fù)執(zhí)行步驟 5 到 7；
9） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ER_MODE[1:0]位域?yàn)?00，退出擦除模式；
10） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 LOCK 位置 1，恢復(fù) FLASH_CR 寄存器的寫保護(hù)鎖定狀態(tài)。
5.3.5.3 User flash 區(qū)批量擦除步驟
批量擦除用于擦除整個(gè) User flash 區(qū)域（128KB），可遵循以下步驟：
1） 檢查 Flash 狀態(tài)寄存器（FLASH_SR）中的 BSY 標(biāo)志，以確認(rèn)當(dāng)前沒有正在執(zhí)行的 Flash 操作；
2） 檢查 FLASH_SR 寄存器，確認(rèn)錯(cuò)誤標(biāo)志均已清除；
3） 解鎖 Flash 控制寄存器（FLASH_CR），使 LOCK 位清 0（詳見：Flash 控制寄存器解鎖）；
4） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ER_MODE[1:0]位域?yàn)?11，進(jìn)入批量擦除模式；
5） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ERASE 位置 1，啟動(dòng) Flash 擦除，同時(shí) BSY標(biāo)志將自動(dòng)置 1；
6） 查詢并等待 BSY 標(biāo)志清 0，表明擦除操作已完成，此時(shí) ERASE 位也將自動(dòng)清 0；
7） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ER_MODE[1:0]位域?yàn)?00，退出擦除模式；
8） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 LOCK 位置 1，恢復(fù) FLASH_CR 寄存器的寫保護(hù)鎖定狀態(tài)。
5.3.5.4 User flash 區(qū)擦除錯(cuò)誤
在對(duì) User flash 區(qū)執(zhí)行擦除操作的過(guò)程中，可能會(huì)出現(xiàn)以下錯(cuò)誤標(biāo)志：
l Flash 操作序列錯(cuò)誤標(biāo)志 PESERR：
- 在 ERASE 位被置 1 的同時(shí)，如果 ER_MODE[1:0] 位域?yàn)?00，則不會(huì)
啟動(dòng)擦除操作，錯(cuò)誤標(biāo)志 PESERR 將置 1；
- 在 ERASE 位被置 1 的同時(shí)，如果待擦除的區(qū)域（PNB[7:0]）超出了
Flash 的有效空間，則不會(huì)啟動(dòng)擦除操作，錯(cuò)誤標(biāo)志 PESERR 將置 1；
- 當(dāng)有錯(cuò)誤標(biāo)志（PESERR、PROGERR、SIZERR、PGAERR、WRPERR）
未被清除時(shí)，配置 ERASE 位置 1，則不會(huì)啟動(dòng)擦除操作，錯(cuò)誤標(biāo)志PESERR 將置 1；
- ERASE、OPTSTRT、OBL_LAUNCH 中任意 2 個(gè)以上控制位同時(shí)置 1，
則不會(huì)啟動(dòng)對(duì)應(yīng)的操作，錯(cuò)誤標(biāo)志 PESERR 將置 1。
l 寫保護(hù)錯(cuò)誤標(biāo)志 WRPERR：
- 如果要擦除的區(qū)域受到安全保護(hù)機(jī)制的影響，包含有受保護(hù)的區(qū)域，
則不會(huì)啟動(dòng)擦除操作，F(xiàn)LASH_SR 寄存器中的 WRPERR 標(biāo)志將置 1。
5.3.6 User flash 區(qū)編程操作
對(duì) Flash 存儲(chǔ)器執(zhí)行編程操作，每次能寫入的數(shù)據(jù)長(zhǎng)度固定為 32bits（字），不支持其他長(zhǎng)度的數(shù)據(jù)寫入。
FLASH 存儲(chǔ)器在執(zhí)行編程操作時(shí)，不能同時(shí)進(jìn)行讀取操作，需要等待存儲(chǔ)器完成編程操作后，讀取操作才能正常進(jìn)行。
與 Flash 擦除操作類似，編程操作也會(huì)受到安全保護(hù)機(jī)制的影響：
5.3.6.1 User flash 區(qū)編程操作步驟
對(duì) User flash 區(qū)進(jìn)行編程操作，可遵循以下步驟：
1） 檢查 Flash 狀態(tài)寄存器（FLASH_SR）中的 BSY 標(biāo)志，以確認(rèn)當(dāng)前沒有正在執(zhí)行的 Flash 操作；
2） 檢查 FLASH_SR 寄存器，確認(rèn)錯(cuò)誤標(biāo)志均已清除；
3） 解鎖 Flash 控制寄存器（FLASH_CR），使 LOCK 位清 0（詳見：Flash 控制寄存器解鎖）；
4） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 PG_MODE 為 1，進(jìn)入 Flash 編程模式；
5） 向 Flash 目標(biāo)地址寫入 32bits 數(shù)據(jù)，寫入后 BSY 標(biāo)志將自動(dòng)置 1；
6） 查詢并等待 BSY 標(biāo)志清 0，表明編程操作已完成；7） 如果要對(duì)多個(gè)地址進(jìn)行編程，可重復(fù)步驟 5 和 6；
8） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 PG_MODE 位為 0，退出 Flash 編程模式；
9） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 LOCK 位置 1，恢復(fù) FLASH_CR 寄存器的寫保護(hù)鎖定狀態(tài)。
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