| 碳化硅 MOSFET | 電壓 | 電流 | 阻抗 | 驅動電壓 | 封裝外形 |
| C2M0160120D | 1200V | 19A | 160mΩ | 20V | TO247-3 |
| C2M0160120K | 1200V | 19A | 160mΩ | 20V | TO247-4 |
| C2M0080120D | 1200V | 36A | 80mΩ | 20V | TO247-3 |
| C2M0080120K | 1200V | 36A | 80mΩ | 20V | TO247-3 |
特征描述
采用超快體二極管，Qrr極低
650V 擊穿電壓
相較于競品，開關損耗顯著降低
RDS(on)的溫度依賴性極低
優勢
出色的硬換向穩健性
總線電壓提高，為設計提供額外安全裕度
可實現更高的功率密度
可在工業開關電源 (SMPS) 應用中實現卓越輕載效率
可在工業開關電源 (SMPS) 應用中提高滿載效率
相較于市面上的替代產品，價格更具競爭力
應用領域
電動汽車快速充電
電信基礎設施
服務器電源
太陽能系統解決方案
