桌面式濺射儀KT-Z1650PVD水冷式濺射源，可實現高功率持續運行，有電壓 電流反饋,樣品臺旋轉，樣品高度調節，及電動擋板功能。通過定時調節預濺射功率及薄膜沉積功率，可對大部分金屬進行均勻物理沉積，真空腔室為透明石英玻璃減少樣品污染，樣品臺可旋轉以獲得更均勻的薄膜，可制備各種金屬薄膜。
電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛倫茲力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區域內，該區域內等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動，該電子的運動路徑很長。
