刻蝕機是一種用于在材料表面去除特定圖案的設(shè)備，廣泛應(yīng)用于微電子、光電子等領(lǐng)域。
刻蝕機的主要功能是通過物理或化學反應(yīng)去除材料表面的特定部分，以形成所需的微納米結(jié)構(gòu)。這些結(jié)構(gòu)在集成電路、傳感器、光學器件等高科技產(chǎn)品的制造中扮演著至關(guān)重要的角色。刻蝕機的技術(shù)包括反應(yīng)離子刻蝕（RIE）、感應(yīng)耦合等離子體刻蝕（ICPE）等多種方法，每種方法都有其特定的應(yīng)用場景和優(yōu)勢。
反應(yīng)離子刻蝕（RIE）是在低氣壓下，通過反應(yīng)氣體在射頻電場作用下產(chǎn)生等離子體，實現(xiàn)離子的物理轟擊濺射和活性粒子的化學反應(yīng)，從而完成高精度的圖形刻蝕。這種方法具有各向異性好、選擇比高、大面積刻蝕均勻性好等優(yōu)勢，適用于氧化硅、氮化硅等介質(zhì)材料及聚合物材料（如PI、PDMS）的微納米結(jié)構(gòu)刻蝕。 感應(yīng)耦合等離子體刻蝕法（ICPE）是化學過程和物理過程共同作用的結(jié)果，通過暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體，產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，形成等離子或離子，通過電場加速時釋放足夠的力量與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。
