磷化銦（InP）材料因其高電子遷移率、直接帶隙特性及良好的光電性能，在光通信、高頻器件等領域具有重要應用。其拋光液作為化學機械拋光（CMP）工藝的核心耗材，需滿足材料特性與工藝需求的雙重挑戰。
一、磷化銦材料特性對拋光液的技術要求
軟脆性與易損傷性
InP莫氏硬度僅為3，質地軟脆，傳統機械拋光易導致表面劃痕或破碎。拋光液需通過化學腐蝕與機械研磨的協同作用，在低壓力下實現高效材料去除。例如，采用氧化劑（如H₂O₂）在表面形成軟質氧化層，再通過納米級磨料（如SiO₂或Al₂O₃）的機械作用去除，避免直接硬接觸。
化學穩定性與腐蝕控制
InP易與酸性或堿性拋光液反應，導致表面“桔皮”現象或過度腐蝕。拋光液需精確調控pH值（通常為中性或弱堿性），并添加緩蝕劑（如有機堿）以抑制副反應。例如，H₃PO₄-H₂O₂-SiO₂體系需優化H₂O₂濃度以平衡氧化速率與腐蝕風險。
表面粗糙度與晶格完整性
光電器件要求表面粗糙度低于0.5 nm，且無亞表面損傷。拋光液需通過磨料粒徑分布（如D50=70-90 nm）與分散劑協同作用，實現均勻去除。例如，聚丙烯酸類分散劑可防止磨料團聚，提升表面一致性。
產品名稱：磷化銦拋光液
產品型號：KND-LP30
產品濃度：≥30%
